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半導(dǎo)體中的干蝕刻如何理解

更新時間:2020-08-31   點(diǎn)擊次數(shù):3036次

干蝕刻是一類較新型,但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約100.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干蝕刻采用的氣體,或轟擊質(zhì)量頗巨,或化學(xué)活性*,均能達(dá)成蝕刻的目的。干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學(xué)反應(yīng)」(chemicalreaction)兩部份蝕刻機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏「化學(xué)反應(yīng)」效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團(tuán),可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其重要的優(yōu)點(diǎn),能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高蝕刻率兩種優(yōu)點(diǎn),換言之,本技術(shù)中所謂「活性離子蝕刻」(reactiveionetch;RIE)已足敷「次微米」線寬制程技術(shù)的要求,而正被大量使用中。

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